Компания Micron Technology заявила о разработке нового поколения микросхем флеш-памяти BA NAND (Block Abstracted NAND) с высокой емкостью.Модули выполнены по технологии многоуровневых ячеек (MLC) с применением 34-нанометровой методики литографии.В настоящее время компания завершила работу над образцами микросхем BA NAND емкостью в 8 Гб и 16 Гб.Чипы предназначены для использования в мультимедийных карманных плеерах, цифровых камерах и прочих портативных гаджетах.Новые микросхемы снабжены интегрированным контроллером памяти, что упрощает процесс разработки конечных устройств. Контроллер отвечает за коррекцию ошибок, управление блоками данных и другие операции. Это позволяет снизить нагрузку на центральный процессор мобильного гаджета и существенно повысить его производительность.Во второй половине текущего года компания Micron Technology планирует презентовать микрочипы BA NAND емкостью до 32 Гб. О стоимости новинок в настоящее время не сообщается.