Компания Samsung выводит на рынок новые модули памяти емкостью 8 и 16 ГБ. Новые модули уже отгружаются заказчикам.Новинки выполнены с использованием 50-нм техпроцесса и, по словам производителя, новые модули памяти являются самыми компактными среди устройств такого класса. Кроме того, они работают при напряжении питания всего 1,35 В, что позволяет экономить примерно 20% электроэнергии по сравнению с моделями с напряжением 1,5 В.Новинки характеризуются производительностью 1066 мегабит в секунду. С их помощью можно оснастить двухпроцессорную серверную систему ОЗУ объёмом 192 Гб. С их помощью можно оснастить двухпроцессорную серверную систему ОЗУ объёмом 192 Гб.Для достижения максимальной ёмкости 16 Гб используется технология двухкристалльной упаковки (dual-die package). При стандартной компоновке можно создавать модули ёмкостью до 8 Гб.Согласно исследованиям IDC, в 2009 году доля DDR3 на глобальном рынке DRAM-памяти достигнет 29% (среди гигабитных микросхем). Далее этот сегмент будет активно развиваться и к 2011 году DDR3 уже будет занимать на рынке 75%. Двухгигабитные чипы DDR3 в текущем году займут всего 3%, но уже в 2011 аналитики ожидают увеличение их доли до 33%.