Южнокорейская компания Samsung Electronics объявила о разработке 1 Гигабитных DRAM модулей памяти с низким энергопотреблением  и высокоскоростной шиной передачи данных (wide I/O mobile DRAM). При производстве новых модулей используется 50 нм технологический процесс. Основное применение объявленного продукта – мобильные устройства, такие как смартфоны и планшетные компьютеры.

Новые 1 Гигабитные модули позволяют передавать данные со скоростью до 12,8 Гигабайт в секунду, где пропускная способность шины передачи данных, в сравнении с существующим поколением мобильных DDR DRAM модулей (1.6 Гб/сек), увеличена в восемь раз, а энергопотребление снижено на 87%. Пропускная способность нового поколение микросхем памяти в четыре раза выше LPDDR2 DRAM модулей, о которых компания объявила в конце прошлого года.

Для увеличения скорости передачи данных, производитель в новых микросхемах на шину передачи данных задействовал 512 «ножек», тогда как предыдущее поколение мобильных DRAM модулей памяти использовало для этой цели всего 32 вывода.

После запуска представленных модулей, Samsung собирается в 2013 году представить 4 Гигабитные модули wide I/O  mobile DRAM памяти, изготовленные по 20-нм технологическому процессу и использующие подобную высокоскоростную шину.