Компания Samsung Electronics анонсировала начало производства гибридных чипов флэш-памяти Flex-OneNAND объемом 8 Гбит по 40-нм техпроцессу. По сути, фирменная разработка Flex-OneNAND является объединением в одной микросхеме флэш-памяти с ячейками двух типов – одноуровневыми (single level cell, SLC) и многоуровневыми (multi-level cell, MLC).Не секрет, что основным преимуществом первого типа является быстродействие, тогда как второй характеризуется меньшей себестоимостью.По словам представителей корейского гиганта, объединение флэш-памяти на базе SLC и MLC в одном устройстве позволит дизайнерам выбирать подсистему хранения с оптимальными характеристиками в каждом случайными характеристиками в каждом конкретном случае.По данным производителя, переход на 40-нм технологию позволил улучшить производительность на 180% относительно предыдущего поколения Flex-OneNAND – 4 Гбит чипов, произведенных на базе 60-нм техпроцесса.В компании также отмечают, что применение флэш-памяти нового типа позволяет сократить площадь, занимаемую на печатной плате, что особенно ценно для портативного мобильного оборудования.Samsung заявила, что расширила свое сотрудничество с разработчиками чипсетов, с тем, чтобы совместно продвигать инновационные решения подсистем памяти